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應用說明

　　隨著微縮技術的進步及晶片功能的複雜化，以先進半導體製程技術製造出的「已知良好裸晶（Know Good Die；KGD）」，因具有極高的電晶體密度及線路密度，而無法在裸晶的面積之內容納所有的接腳，必須藉由扇出（Fan out）的方式將線路接點（I/O Pad）自裸晶表面向外重新佈置，藉此符合封裝和其他電路的要求。
而將金屬線路接點外引的技術，即泛稱為重佈線層（Redistribution Layer；RDL）技術。於應用上又可依線寬間距（Line/Space；L/S）進一步分為：（1）晶圓廠的超細線路應用；（2）先進封裝廠的細線路應用；及（3）先進載板廠的細線路應用。

於不同的應用中，會採用不同製程解決方案來完成金屬導線的製作，例如利用光罩以曝光、顯影、蝕刻的方式製造出超細線路，或者是使用雷射光刻配合清潔、濺鍍金屬種子層、電鍍增厚金屬層、蝕刻去除金屬種子層的方式於基材上製造出金屬細線路。前者可達成超細線路的應用但設備成本較高而多見於晶圓廠，後者則通常用於封裝廠或載板廠。
進一步在ESG的政策響應下，後者也逐步從濕式製程轉換至乾式製程，例如基材的清潔方式改以乾式的電漿蝕刻清潔；而蝕刻去除種子層的方式，也從利用藥水的濕式製程逐步朝向以乾式電漿蝕刻的方式將其去除，藉此達到低材料消耗、低環境污染和簡單的後處理工序目的。
 

以下圖示說明先進封裝廠以ABF（Ajinomoto Build-up Film）作為基材時的Die-First／Face-up重佈線層製程：

 

前述的Die Fisrt製程由於是直接先放置KGD之後，再對其進行重佈線。但這樣的製程可能因製程良率的風險而導致KGD的損壞，因此尚有另一種先完成RDL之後，再將KGD附著上去的Die-last製程，如下圖所示。雖然相較於Die-first製程，此方式需先以Carrier當作臨時的載體，再至將其移除後於同側附著錫球，製程步驟略為複雜，但能有效避免KGD的損失。

 

對此，凌嘉科技有自主的智慧財產權，能協同客戶進行製程開發及實驗驗證，尤其於重佈線層製程應用中，對於Desmear、Descum、Ti etching、Seel layer濺鍍…等技術有豐富的製程開發經驗，除了可以提供研發階段於不同製程配方下的打樣服務之外，亦擁有合格且高精密度的實驗室能進行樣品的測試。

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